影響分子束外延的因素有哪些

日期：2025-09-02 03:12

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摘要：

影響分子束外延的因素：

1、壓力的影響

在10-3帕真空度下，在1秒鐘時(shí)間內(nèi)殘余氣體的單原于層就能夠覆蓋臂開(kāi)的表面，如果在10-5到10-7Pa真空條件下臂開(kāi)并且馬上進(jìn)行蒸鍍，那么應(yīng)當(dāng)更進(jìn)一步地降低外延溫度，然而通過(guò)實(shí)驗(yàn)證明，并不是這樣，例如M和A在高真空下進(jìn)行外延蒸鍍與在超高真空下進(jìn)行外延蒸鍍，它們的結(jié)果的差別并沒(méi)有很大。但是銅、銀和金在超高真空下，使(001)面平行于基片，那么單晶膜的生成就會(huì)變得相當(dāng)困難，這表明對(duì)銅、銀和金進(jìn)行外延蒸鍍時(shí)，還需要對(duì)基片表面進(jìn)行適用的處理。

2、蒸發(fā)速度的影響

若對(duì)蒸發(fā)速度進(jìn)行降低也會(huì)降低碲的外延溫度，將金蒸鍍外延于氯化鈉時(shí)，也會(huì)降低氯化鈉上面的平行方位的蒸發(fā)速度，就能夠在較低的基片溫度下進(jìn)行晶體外延。

3、外延溫度的影響

為了導(dǎo)致外延，基片的溫度應(yīng)當(dāng)達(dá)到某一溫度值，那么加熱超過(guò)外延溫度就變得相當(dāng)有必要。并且外延溫度還和其他的條件相關(guān)。當(dāng)條件不一樣時(shí)，外延溫度也會(huì)存在差異。

4、基片結(jié)晶的臂開(kāi)的影響

在以往的常規(guī)研究方面，基片結(jié)晶是在大氣下臂開(kāi)（機(jī)械折斷使得結(jié)晶面產(chǎn)生）之后往真空裝置中放入來(lái)對(duì)外延單晶膜進(jìn)行制取。晶面如果臂開(kāi)就馬上進(jìn)行制膜的方法已經(jīng)被研究了。因?yàn)樵搩煞N方法有所差異，因此其外延溫度也不一樣。在真空下臂開(kāi)基片結(jié)晶會(huì)導(dǎo)致處延臨界溫度的值不同。

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